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公司电话:0431-86176682
 公司邮箱:
info@gpixelinc.com

GSENSE400BSI

产品描述

分辨率

4.2MP

像素尺寸

11μm x 11μm

感光面积

22.5mm x 22.5mm

快门方式

卷帘快门

色彩

黑白

 

零售价 :
0.00
市场价 :
0.00
重量:
0.00
库存 :
360°全景展示
产品详情
分辨率:
4.2 MP
像素尺寸:
11 μm
分辨率:
<5MP
像素尺寸:
>10μm
快门方式:
卷帘快门
类型:
BSI
色彩:
黑白
最大帧频:
<50fps
最大帧频:
48 fps
产品特性
 GSENSE400BSI是基于GSENSE400而设计开发的背照式器件,是世界上第一款背照式、科学级CMOS图像传感器。GSENSE400BSI具有极高的灵敏度、超低的读出噪声以及高动态范围等特点。GSENSE400BSI具有三种抗反射镀膜,分别针对275nm、420nm和560nm谱段的灵敏度进行优化,其量子效率分别为77%(275nm)、86%(420nm)和95%(560nm)。同时该芯片在制冷条件下具有极低的暗电流,在-50℃时,暗电流为0.2e-/s/pix。因此,GSENSE400BSI非常适合荧光成像、天文成像、光谱应用、法医鉴定、高压电线电晕检测等各类科学应用。
                        
实测参数

分辨率

2048(H) x 2048(V)

像素尺寸

11μm x 11μm

快门方式

卷帘快门

暗电流

<0.2e-/p/s

满阱容量

91ke-

最大信噪比

49dB

读出噪声

1.6e-

动态范围

93dB@HDR

量子效率

95%@560nm;60%@800nm

最大帧频

48fps

FPN

<2e-

PRNU

<1.5%

供电电源

3.3V/1.8V

ADC

12bit

功耗

<650mW

封装

115-pin PGA

 

芯片版本

芯片版本

描述

GSENSE400BSI-TVISB

针对560nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜D263T玻璃,玻璃盖片可拆

GSENSE400BSI-UV-QF

针对275nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜石英玻璃,玻璃盖片不可拆

GSENSE400BSI-UV

针对275nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜D263T玻璃,玻璃盖片可拆

GSENSE400BSI-VIS

针对420nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜石英玻璃,玻璃盖片可拆

 

文档下载
Click HERE for compatible sockets from Andon Electronics
产品特性
 GSENSE400BSI是基于GSENSE400而设计开发的背照式器件,是世界上第一款背照式、科学级CMOS图像传感器。GSENSE400BSI具有极高的灵敏度、超低的读出噪声以及高动态范围等特点。GSENSE400BSI具有三种抗反射镀膜,分别针对275nm、420nm和560nm谱段的灵敏度进行优化,其量子效率分别为77%(275nm)、86%(420nm)和95%(560nm)。同时该芯片在制冷条件下具有极低的暗电流,在-50℃时,暗电流为0.2e-/s/pix。因此,GSENSE400BSI非常适合荧光成像、天文成像、光谱应用、法医鉴定、高压电线电晕检测等各类科学应用。
                        
实测参数

分辨率

2048(H) x 2048(V)

像素尺寸

11μm x 11μm

快门方式

卷帘快门

暗电流

<0.2e-/p/s

满阱容量

91ke-

最大信噪比

49dB

读出噪声

1.6e-

动态范围

93dB@HDR

量子效率

95%@560nm;60%@800nm

最大帧频

48fps

FPN

<2e-

PRNU

<1.5%

供电电源

3.3V/1.8V

ADC

12bit

功耗

<650mW

封装

115-pin PGA

 

芯片版本

芯片版本

描述

GSENSE400BSI-TVISB

针对560nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜D263T玻璃,玻璃盖片可拆

GSENSE400BSI-UV-QF

针对275nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜石英玻璃,玻璃盖片不可拆

GSENSE400BSI-UV

针对275nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜D263T玻璃,玻璃盖片可拆

GSENSE400BSI-VIS

针对420nm进行优化,无微透镜,双面无抗反射镀膜石英玻璃,玻璃盖片可拆

 

文档下载
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